： 下列关于MOS模型的说法正确的有（）A:MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数B:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立C:MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响D:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算答案: 器件的低频小信号模型主要考虑了跨导体效应以及沟道调制效应等参数; 器件的大信号模型一般由特性关系式各寄生电容计算式等推导建立; 器件的高频小信号模型除考虑跨导体效应以及沟道调制效应等参数还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响; 当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时可用小信号模型简化计算第三章 单元测试1、